射頻功率放大器開題報(bào)告

時(shí)間：2021-02-15 19:23:58 開題報(bào)告我要投稿

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射頻功率放大器開題報(bào)告范文

　　篇一：射頻功率放大器開題報(bào)告

射頻功率放大器開題報(bào)告范文

　　第1章概述

　　本章介紹了射頻功率放大器的研究目的和意義，討論現(xiàn)階段的研究現(xiàn)狀以及發(fā)展趨勢，最后闡述了在論文期間所做的主要工作和前期計(jì)劃結(jié)構(gòu)。

　　1.1課題研究的目的和意義

　　隨著21世紀(jì)的到來，人類社會已步入信息時(shí)代社會信息極大的改變了人類社會的生產(chǎn)、工作、學(xué)習(xí)和生活方式，人們對信息的依賴與需求越來越大，隨時(shí)隨地、迅速可靠的與通信的另一方進(jìn)行任何方式的信息交流成為人們不斷追求的目標(biāo)。從全球范圍來看，無線通信用戶的年增量都在大幅度的增長，無線通信已經(jīng)進(jìn)入規(guī)�；l(fā)展的階段。如今快速的發(fā)展無線通信已成為信息產(chǎn)業(yè)中最耀眼的亮點(diǎn)，并成為社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展的動力�，F(xiàn)代通信迅速發(fā)展，對射頻功率放大器的要求也越來越高，其在整個(gè)無線電通訊系統(tǒng)中非常重要，輸出功率決定了通訊距離的長短，其他方面也對通訊的效率性能指標(biāo)起決定性作用。

　　射頻功率放大器由于尺寸、線性度高、噪聲低等優(yōu)點(diǎn)，廣泛運(yùn)用與在衛(wèi)星通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)以及各種工業(yè)裝備，伴隨著無線通訊和軍事領(lǐng)域新標(biāo)準(zhǔn)新技術(shù)的發(fā)展，對射頻功率放大器的性能要求也高，使之在更寬頻帶內(nèi)，具有更高的輸出功率、效率和可靠性，例如為在有限的頻譜范圍內(nèi)容納入更多的內(nèi)容就要求更多的通訊通道，獲得較高的輸出功率，現(xiàn)在通訊系統(tǒng)均采用了QPSK、64QSN等線性調(diào)制技術(shù)，這些調(diào)制技術(shù)對功放的非線性非常敏感，因而對放大器有更高的線性要求，提高功率放大器的可靠傳輸，以避免對其他信道的干擾，保證通訊的正�？煽俊�

　　為了滿足各種應(yīng)用需求，近十幾年來人們不斷推動射頻功率放大器的發(fā)展和進(jìn)步，在這十幾年發(fā)展過程中，射頻器件及射頻技術(shù)的發(fā)展是推動射頻功率放大器發(fā)展的倆大因素射頻器件的發(fā)展是射頻功率放大器的發(fā)展成為可能，射頻技術(shù)的發(fā)展使射頻功率放大器的性能得到提高。目前，由于無線領(lǐng)域局域網(wǎng)的市場潛力，世界各國的工業(yè)界和科技界都投入巨大的力量，加強(qiáng)這方面的研究與開發(fā)工

　　作，對射頻的高集成度、成本和小型化追求都把目標(biāo)集中在多頻帶和多模式上，即用較少的芯片輸在多頻帶實(shí)現(xiàn)各種功能。

　　射頻功率放大器的應(yīng)用領(lǐng)域比較廣泛，比如雷達(dá)、通訊、導(dǎo)航、衛(wèi)星地面站。點(diǎn)子對抗中都需要它，如在有源相控陣?yán)走_(dá)中射頻功率放大器就扮演著重要角色，在電子戰(zhàn)中，射頻功率可制成有源誘餌，便面飛機(jī)被導(dǎo)彈擊中，通訊中，射頻功率放大器廣泛運(yùn)用與小功率或低數(shù)據(jù)率終端，如射頻功率放大器就很大程度上決定這個(gè)人移動電話的通話時(shí)間和待機(jī)時(shí)間。總之需要對射頻信號進(jìn)行功率放大的設(shè)備中都離不開射頻功率放大器。與低噪聲放大器相比，射頻功率放大器除了要滿足一定的增益、駐波比、頻帶外，突出的要求是輸出功率和高轉(zhuǎn)換率及減少非線性失真。

　　1.2研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢

　　對于射頻功率放大器的研究方面許多專家教授都對這方面作了相關(guān)的研究，得到了許多成果總結(jié)，這對我們后期的學(xué)習(xí)有了很大的幫助，以下是我參考的文獻(xiàn)：

　　張利飛、汪海勇在《低噪聲功率放大器的仿真設(shè)計(jì)》根據(jù)非線性結(jié)的諧波輻射特性,通過發(fā)射基波信號,接收二次或三次諧波/組合波來探測含有非線性結(jié)的目標(biāo)。由于諧波雷達(dá)接收機(jī)要接收來自非線性結(jié)散射回來的微弱的二次或三次/組合波信號,因此對諧波雷達(dá)發(fā)射機(jī)的諧波抑制能力和低噪聲提出了較高的要求。而發(fā)射機(jī)的主要部件是功率放大器,本文根據(jù)諧波雷達(dá)發(fā)射機(jī)的要求,設(shè)計(jì)的放大器的指標(biāo)為:工作頻率:900MHz輸出功率:2W(33dBm)功率增益:37dB輸入輸出駐波比:小于1.5:1三階交調(diào):-20dBc二次諧波抑制:大于40dB噪聲系數(shù):小于1dB1方案確定與器件選擇首先從功率增益上考慮,一般功率放大器的增益在15dB左右,為了能達(dá)到37dB的功率增益,需要3級放大器,考慮到第一級放大器為小信號放大器,而且小信號放大器的增益比較大,從而確定的方案為兩級放大器,即前級小信號放大器和后級大信號放大器。其次從噪聲系數(shù)上考慮,由于總的噪聲系數(shù)小于1dB,則要求所選放大器的噪聲系數(shù)均比較小,考慮到前級放大器的噪聲系數(shù)對整個(gè)系統(tǒng)的影響最大,故前級主要從最小噪聲系數(shù)上考慮,后級可以在滿足一定噪聲系數(shù)的條

　　件下主要考慮功率。

　　陳曉飛，沈軍等在2014年的文獻(xiàn)《高線性度CMOS射頻AB類功率放大器設(shè)計(jì)》中，指出CMOS射頻AB類功率放大器廣泛應(yīng)用于單片集成無線芯片內(nèi)．采用恒定最大電流的方法對其效率進(jìn)行分析，采用歸一化輸入電壓的方法對其線性度進(jìn)行分析．利用AB類功率放大器系統(tǒng)增益的非線性與CMOS跨導(dǎo)非線性相互補(bǔ) 償，提高了CMOS射頻 AB類放大器的線性度．基于 TSMC 0．18μm CMOS 混合信號工藝，設(shè)計(jì)了一款兩級射頻AB類功率放大器[2]。

　　延濤在2007年的文獻(xiàn)《高性能CMOS射頻功率器件及功率放大器研究與實(shí)現(xiàn)》中，指出隨著人們對無線通訊需求的不斷增加，射頻集成電路（RFIC）技術(shù)迅速發(fā)展，成為了集成電路產(chǎn)業(yè)新的增長點(diǎn)。在RFIC所采用的工藝技術(shù)中，RF CMOS具有成本和集成度方面的巨大優(yōu)勢，是未來無線通訊技術(shù)的發(fā)展趨勢[3]。

　　許永生在《CMOS射頻器件建模及低噪聲放大器的設(shè)計(jì)研究》中指出微波低噪聲放大器是利用微波低噪聲場效應(yīng)管在微波頻段進(jìn)行放大。特別需要注意的是，因?yàn)閳鲂?yīng)管都存在著內(nèi)部反饋，當(dāng)反饋量達(dá)到一定強(qiáng)度時(shí)，將會引起放大器穩(wěn)定性變壞而導(dǎo)致自激，改善微波管自身穩(wěn)定性采取的是串接阻抗負(fù)反饋法，在場效應(yīng)管的源極和地之間串接一個(gè)阻抗電路，構(gòu)成負(fù)反饋電路。實(shí)際的微波放大器電路中反饋元件常用一段微帶線代替，相當(dāng)于電感性元件負(fù)反饋，這樣對電路穩(wěn)定性有所改善。利用PHEMT芯片，應(yīng)用混合集成工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，在寬頻帶范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低噪聲系數(shù)和低駐波特性。器件的選用恰當(dāng)與否直接關(guān)系到性能指標(biāo)的優(yōu)劣，寬帶低噪聲放大器最關(guān)鍵的器件就是放大器的基礎(chǔ)——GaAsPHEMT芯片。為滿足高增益指標(biāo)，[1]

　　GaAsPHEMT應(yīng)具有盡可能高的跨導(dǎo)；同時(shí)，為了滿足低的噪聲系數(shù)，GaAsPHEMT自身的噪聲系數(shù)應(yīng)盡可能低；由于型譜產(chǎn)品頻段較高，為了避免分布參數(shù)帶來的影響，同時(shí)減小體積，GaAsPHEMT選擇采用管芯。該項(xiàng)目為了兼顧噪聲和增益，所以采用2級放大。第1級放大器的設(shè)計(jì)必需是最佳噪聲設(shè)計(jì)，即輸入匹配網(wǎng)絡(luò)必需是最佳噪聲匹配網(wǎng)絡(luò)，不必追求最大增益；第2級放大器保證輸出功率和總增益[4]。

　　胡柳林在《800MHz CMOS低噪聲功率放大器設(shè)計(jì)與仿真功率放大器》指出無線發(fā)射器中必不可少的組成部分，也是整個(gè)發(fā)射機(jī)中耗能最多的部件，輸出功率

　　一般比較大。射頻功率放大器的主要作用就是放大射頻信號，以輸出大功率為目的。射頻信號功率的放大實(shí)質(zhì)上是在輸入射頻信號的控制下將電源直流功率轉(zhuǎn)換為高頻功率。相對于其它無線收發(fā)組件，大功率、高線性、高效率是功率放大器的基本設(shè)計(jì)要求。介紹了基于TSMC0.18umCMOS工藝的功率放大器的設(shè)計(jì)，給出了仿真結(jié)果和版圖設(shè)計(jì)。該電路采用兩級放大結(jié)構(gòu)，單端輸入單端輸出。第一級采用共源共柵放大電路，第二級采用差分放大電路，輸出由一個(gè)平衡．不平衡電路轉(zhuǎn)化為單端輸出。在3.3V的供電電壓下，最大輸出功率為16.25dB，增益為20dB，輸入1dB壓縮點(diǎn)位13dB，帶寬為1GHz~2GHz，滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求[5]。

　　金香菊在《CMOS射頻C類低噪聲功率放大器研究與設(shè)計(jì)》功率放大器作為射頻收發(fā)機(jī)中功耗和體積最大模塊,其性能直接決定了整個(gè)射頻收發(fā)機(jī)的成本、功耗和體積,因此研究CMOS射頻功率放大器對實(shí)現(xiàn)單芯片射頻收發(fā)機(jī)意義重大。本文通過深入分析CMOS射頻C類功率放大器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和工作原理,設(shè)計(jì)出一個(gè)可單片集成的射頻C類功率放大器,并完成了版圖設(shè)計(jì)。首先對線性和非線性功率放大器進(jìn)行了系統(tǒng)總結(jié)。采用電流源C類功率放大器模型,推導(dǎo)出功率放大器的效率、漏極電流的頻譜、輸出功率與導(dǎo)通角θ的關(guān)系,并用于指導(dǎo)功率放大器設(shè)計(jì)。其次,對基于CMOS工藝的射頻C類功率放大器進(jìn)行研究,并設(shè)計(jì)出一個(gè)中心頻率2.4GHz的C類功率放大器�？紤]輸出功率、功率增益和效率要求,并針對CMOS工藝晶體管擊穿電壓低和跨導(dǎo)能力有限等缺點(diǎn),采用單端兩級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),使用共源共柵和輸出級的輸入諧振網(wǎng)絡(luò)等電路設(shè)計(jì)技術(shù),提高了功率放大器的性能。最后,基于TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS RF工藝,采用Cadence的SpectreRF進(jìn)行電路仿真和版圖設(shè)計(jì)。仿真結(jié)果表明,在使用片上電感后,輸出功率達(dá)到24dBm,功率增益為24dB,功率附加效率達(dá)到34%[6]。

　　王振，喻志遠(yuǎn)，雍正平，雷毅在《C波段低噪聲功率放大器的設(shè)計(jì)》中通過仿真結(jié)果可以看出，放大器的輸入輸出駐波比、噪聲和增益等指標(biāo)基本上都合格。從設(shè)計(jì)中可以了解使用ADS來設(shè)計(jì)低噪聲放大器的基本方法，首先要做的就是偏置電路的設(shè)計(jì)，然后用S參數(shù)仿真來進(jìn)行穩(wěn)定性的判斷，若在使用頻段內(nèi)不穩(wěn)定，還需要進(jìn)行穩(wěn)定性的設(shè)計(jì)。當(dāng)場效應(yīng)管工作穩(wěn)定后就要對其進(jìn)行阻抗匹配。一般低噪聲放大器的第1級需要良好的噪聲特性，所以第1級的輸入端進(jìn)行最佳噪聲阻抗到50源負(fù)載的匹配，輸出端進(jìn)行共軛匹配。如果要考慮到第1級的增益輸出

　　不能太低的話，則需要畫出增益圓圖和噪聲圓圖，然后選擇合適的源阻抗值，犧牲一部分噪聲來提高增益。第2級一般為功率輸出級，需要的是最大的增益輸出，所以第2級一般對輸入輸出同時(shí)向50負(fù)載做共軛匹配，在匹配之前，需要算出最佳共軛匹配的`ZS和ZL值，這個(gè)值只有在電路穩(wěn)定的情況下才唯一存在的。2級分別設(shè)計(jì)，再級聯(lián)，由于計(jì)算機(jī)已經(jīng)進(jìn)行了參數(shù)優(yōu)化，通常不需調(diào)整就可達(dá)到比較滿意的效果。還有器件參數(shù)的離散性，以及加工誤差，實(shí)際加工出來的結(jié)果有一些微小差異，這就需要在實(shí)際調(diào)試中，稍微調(diào)整一下分布參數(shù)，就可達(dá)到最佳的效果[7]。

　　李斐在《寬帶射頻接收機(jī)前端低噪聲放大器設(shè)計(jì)》中指出無線通信市場的發(fā)展以及人們對無線通信與日俱增的需求推動了這一領(lǐng)域的研究與開發(fā)。無線收發(fā)機(jī)始終向著高性能,高集成度、低功耗、低成本的方向發(fā)展。本論文以設(shè)計(jì)射頻無線收發(fā)機(jī)中關(guān)鍵組成射頻接收機(jī)前端為目的,研究并設(shè)計(jì)射頻接收機(jī)前端的系統(tǒng)和模塊。首先從系統(tǒng)的角度出發(fā),簡要介紹了射頻系統(tǒng)接收的一些性能指標(biāo)及其衡量標(biāo)準(zhǔn),系統(tǒng)的分析比較了幾種適用于單片集成的射頻接收機(jī)結(jié)構(gòu),總結(jié)了各自的優(yōu)缺點(diǎn),提出在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)選取上的設(shè)計(jì)考慮；然后詳細(xì)分析了射頻接收機(jī)前端的兩個(gè)模塊：低噪聲放大器和混頻器,總結(jié)并比較了一些常用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)[8]。

　　黃曉華在《低噪聲射頻功率放大器的設(shè)計(jì)與優(yōu)化》中寫到微波和射頻工程是一個(gè)令人振奮且充滿生機(jī)的領(lǐng)域，主要由于一方面，現(xiàn)代電子器件取得了最新的發(fā)展；另一方面，目前對語音、數(shù)據(jù)、圖像通信能力的需求急劇增長。在這一通信變革之前，微波技術(shù)幾乎是國防工業(yè)一統(tǒng)天下的領(lǐng)域，而近來對無線尋呼、移動電話、廣播視頻、有繩和無繩計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的通信系統(tǒng)需求的迅速擴(kuò)大正在徹底改變工業(yè)的格局。這些系統(tǒng)正在用于各種場合，包括機(jī)關(guān)團(tuán)體、生產(chǎn)制造工廠、市政基層設(shè)施，以及個(gè)人家庭等。應(yīng)用和工作環(huán)境的多樣性伴隨著大批量生產(chǎn)，從而使微波和射頻產(chǎn)品的低成本制造能力大為提高。這又轉(zhuǎn)而降低了大批新型的低成本無線、有線射頻和微波業(yè)務(wù)的實(shí)現(xiàn)成本，其中包括廉價(jià)的手持GPS導(dǎo)航設(shè)備、汽車防撞雷達(dá)，以及到處有售的寬帶數(shù)字服務(wù)入口等[9]。

　　朱樟明劉簾曦在《PWM CMOS D類音頻功率放大器》提出了一個(gè)高效的PWM CMOS d類音頻功率放大器。軌到軌PWM比較器與窗函數(shù)被嵌入到d類音頻功率放大器。根據(jù)TSMC 0.5μm CMOS工藝設(shè)計(jì)結(jié)果表明,最大效率為90%,PSRR -75分貝,電源

　　篇二：433MHz低噪聲射頻功率放大器的設(shè)計(jì)畢業(yè)設(shè)計(jì)開題報(bào)

　　一、研究的目的:

　　低噪聲微波放大器（LNA）已廣泛應(yīng)用于微波通信、GPS 接收機(jī)、遙感遙控、雷達(dá)、電子對抗、射電天文、大地測繪、電視及各種高精度的微波測量系統(tǒng)中，是必不可少的重要電路。低噪聲放大器位于射頻接收系統(tǒng)的前端，其主要功能是將來自天線的低電壓信號進(jìn)行小信號放大。前級放大器的噪聲系數(shù)對整個(gè)微波系統(tǒng)的噪聲影響最大，它的增益將決定對后級電路的噪聲抑制程度，它的線性度將對整個(gè)系統(tǒng)的線性度和共模噪聲抑制比產(chǎn)生重要影響。對低噪聲放大器的基本要求是：噪聲系數(shù)低、足夠的功率增益、工作穩(wěn)定性好、足夠的帶寬和大的動態(tài)范圍。

　　隨著工作頻率升高，低噪聲放大器卻因?yàn)槠鋸?qiáng)烈的非線性而要依賴非線性模型來預(yù)測其電性能，且電路設(shè)計(jì)的精度取決于非線性模型的準(zhǔn)確度。廠商一般都是給出某個(gè)的ｓ參數(shù)值，對于那些不是常用的頻段獲取參數(shù)相當(dāng)?shù)睦щy。因此選擇合適的仿真軟件對器件進(jìn)行建模仿真變得非常重要。同時(shí)，由于晶體管在高頻工作時(shí)，受到寄生效應(yīng)的影響，要保持低噪聲放大器的穩(wěn)定性就需要電路板布局合理、輸入輸出匹配之間的有效配置都是設(shè)計(jì)射頻放大器的關(guān)鍵。著手分析并解決這些問題，為以后開展更深一步的研究做好鋪墊。

　　二、主要研究內(nèi)容

　　功率放大器設(shè)計(jì)指標(biāo)：

　　工作頻率：433MHz

　　接選用晶體管：AT41511；

　　工作頻率：433MH±50MHz；

　　帶寬：100MHz ；

　　偏置電壓：5 V；

　　增益：20dB；

　　噪聲系數(shù)<1.

　　輸入輸出駐波比<2

　　輸出功率：1W.

　　低噪聲放大器的主要技術(shù)指標(biāo)是噪聲系數(shù)和增益，這些是研究射頻低噪聲放大器的關(guān)鍵。本文對此進(jìn)行了一些研究，主要包括下面幾個(gè)方面：

　　1.射頻電路的噪聲系數(shù)

　　二端口的噪聲系數(shù)定義為二端口輸入端的信噪比與輸出端的信噪比：用符號PS/PN (或 S/N)表示。放大器噪聲系數(shù)是指放大器輸入端信號噪聲功率比

　　PSI/PNI與輸出端信號噪聲功率比PSO/PNO的比值，以分貝數(shù)表示噪聲系數(shù)：

　　NF=101g(F)。噪聲系數(shù)的物理含義是：信號通過放大器之后，由于放大器產(chǎn)生噪聲，使信噪比變壞，信噪比下降的倍數(shù)就是噪聲系數(shù)。噪聲系數(shù)是低噪聲放大器設(shè)計(jì)中最關(guān)鍵的指標(biāo)之一。

　　2.增益

　　低噪聲放大器的增益要適中，太大會使下級混頻器輸入太大，產(chǎn)生失真。但為了抑制后面各級的噪聲對系統(tǒng)的影響，其增益又不能太小。放大器的增益首先與管子跨導(dǎo)有關(guān)，跨導(dǎo)直接由工作點(diǎn)的電流決定。其次放大器的增益還與負(fù)載有關(guān)。低噪聲放大器大都是按照噪聲最佳匹配進(jìn)行設(shè)計(jì)的。噪聲最佳匹配點(diǎn)并非最大增益點(diǎn)，以此增益G 要下降。噪聲最佳匹配情況下的增益成為相關(guān)增益。通常，相關(guān)增益比最大增益大約低2~4dB。所以，一般來說低噪聲放大器的增益確定應(yīng)與系統(tǒng)的整機(jī)噪聲系數(shù)、接收機(jī)動態(tài)范圍等結(jié)合起來考慮。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般取值在15~20 dB較為合適。增益平坦度是指功率最大增益與最小增益之差，它用來描述工作頻帶內(nèi)功率增益的起伏, 常用最高增益與最小增益之差，即△G(dB)表示。

　　3.穩(wěn)定性

　　在微波電路設(shè)計(jì)中，放大器的穩(wěn)定性設(shè)計(jì)是一個(gè)重要的考慮因素。其中，微波電路的穩(wěn)定性可以用S參數(shù)來表示。如果電路的輸入或輸出端電阻為負(fù)電阻，二端口網(wǎng)路就可能發(fā)生振蕩。振蕩發(fā)生在輸入或輸出端反射系數(shù)大于1的條件下。(即IN>1或OUT>1)

　　在窄帶或?qū)拵?yīng)用中，通常情況下微波放大器在特定頻段都要面臨穩(wěn)定性問題。一般來說，微波放大器的不穩(wěn)定性主要由以下三個(gè)因素引起的。

　　(1) 晶體管周圍的內(nèi)反饋。

　　(2) 晶體管周圍外部電路所引起的外反饋。

　　(3) 在工作頻段以外頻率點(diǎn)的過增益。

　　三、課題的準(zhǔn)備情況及進(jìn)度計(jì)劃

　　現(xiàn)在已經(jīng)初步了解了低噪聲放大器的基本知識；復(fù)習(xí)了與放大器相關(guān)的知識，同時(shí)也學(xué)習(xí)了ADS的應(yīng)用。對在畢業(yè)設(shè)計(jì)中需要用到的相關(guān)資料及軟件進(jìn)行了搜集和整理，為使接下來的工作能順利進(jìn)行，特?cái)M定了下一階段的進(jìn)度計(jì)劃如下：

　　[1] 張利飛、汪海勇.低噪聲功率放大器的仿真設(shè)計(jì)[A].2009年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C]. 2009年

　　[2] 許永生.CMOS射頻器件建模及低噪聲放大器的設(shè)計(jì)研究[D],華東師范大學(xué)2006年

　　[3] 胡柳林.800MHz CMOS低噪聲功率放大器設(shè)計(jì)與仿真[D]，哈爾濱工業(yè)大學(xué)，2006

　　[4] 金香菊.CMOS射頻C類低噪聲功率放大器研究與設(shè)計(jì)[D].電子科技大學(xué),2007年

　　[5] 王振，喻志遠(yuǎn)，雍正平，雷毅.C波段低噪聲功率放大器的設(shè)計(jì)[A]，2009年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C]，2009年

　　[6] 王云峰，李磊，梁遠(yuǎn)軍，朱文龍，雙平衡支路低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與測試

　　[A],2009安捷倫科技節(jié)論文集[C]，2009年

　　[7] 王瑞豐，唐仕明，張曉平， P波段低溫低噪聲功率放大器的設(shè)計(jì)與測量，2009安捷倫科技節(jié)論文集，2009年

　　[8] 鄭仁亮.OFDM超寬帶射頻收發(fā)器設(shè)計(jì)關(guān)鍵問題及單芯片實(shí)現(xiàn)[D]，復(fù)旦大學(xué)，2009年

　　[9] 劉林濤.無源器件和電感電容振蕩器優(yōu)化設(shè)計(jì)研究[D]，哈爾濱工業(yè)大學(xué)，2009年

　　[10] 李斐.寬帶射頻接收機(jī)前端低噪聲放大器設(shè)計(jì)[D]，北京交通大學(xué)，2011年

　　[11] 黃曉華.低噪聲射頻功率放大器的設(shè)計(jì)與優(yōu)化[D]，浙江大學(xué)，2010年